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Mostrando ítems 1-10 de 23
Electrical Behavior of Effects LCE and PAMDLE of the Ellipsoidal MOSFETs in a Huge Range of High Temperatures
(2020-01-05)
This paper presents the electrical behavior at high temperature-range of the effects presents in the non-standard gate layout style for MOSFETs, in which they are capable to boost the electrical performance in relation to ...
Electrical Behavior of Effects LCE and PAMDLE of the Ellipsoidal MOSFETs in a Huge Range of High Temperatures
(2020-01-05)
This paper presents the electrical behavior at high temperature-range of the effects presents in the non-standard gate layout style for MOSFETs, in which they are capable to boost the electrical performance in relation to ...
Compact diamond MOSFET model accounting for PAMDLE applicable down 150 nm node
(2014)
© The Institution of Engineering and Technology 2014.The performance improvements for integrated circuit applications of silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) implemented ...
Compact diamond MOSFET model accounting for PAMDLE applicable down 150 nm node
(2014)
© The Institution of Engineering and Technology 2014.The performance improvements for integrated circuit applications of silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) implemented ...
Digital Performance of OCTO Layout Style on SOI MOSFET at High Temperature Environment
(2019-08-25)
This present paper performs an experimental comparative study of the main digital parameters and figures of merit of the octagonal layout style for the planar Silicon-On-Insulator (SOI) Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Field ...
Estudo dos estilos de leiaute não convencionais para mosfets planares em altas temperaturas considerando-se o nó tecnológico de 180nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2022)
Estudo dos estilos de leiaute não convencionais para mosfets planares em altas temperaturas considerando-se o nó tecnológico de 180nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Esta tese de doutorado teve por objetivo estudar os impactos no desempenho elétrico dos transistores de efeito de campo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Field Effect Transistors, MOSFETs) implementados ...
Estudo comparativo experimental entre o casamento do SOI nMOSFETs do tipo diamante do tipo diamante e dos seus respectivos convencionais equivalentes
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2019)
Estudo comparativo experimental entre o casamento do SOI nMOSFETs do tipo diamante do tipo diamante e dos seus respectivos convencionais equivalentes
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)
O MOSFET de geometria de porta hexagonal (estilo de leiaute do tipo Diamante) foi especialmente projetado com o objetivo de melhorar o desempenho elétrico desses transistores, em comparação ao transistor de geometria de ...