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Nueva topología para el modelado de transistores de microondas MESFET/GaAS considerando efectos de dispersión y memoria
(Universidad Católica San PabloPE, 2016)
En este trabajo, se presenta una nueva técnica para el mo delado de transistores de alta frecuencia con tecnología como GaAs(Arseniuro de Galio). La técnica puede predecir uno de los fenómenos más críticos en materia de ...
Spice Dc Parameter Extraction Of Mesfet's With Diffused And Grown Channel
(Publ by IEEE, Piscataway, NJ, United States, 1993)
Optimization Of A High Bit Rate Gaas Mesfet Amplifier For Optical Reception
(Publ by IEEE, Piscataway, NJ, United States, 1991)
STATIONARY CHARGE DOMAIN IN GAAS-MESFETS - DIMENSIONAL AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION
(Iee-inst Elec EngHertfordInglaterra, 1989)