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Mostrando ítems 1-10 de 244
Efeitos de localização de portadores em poços quânticos de GaBiAs/GaAs
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2015-08-04)
In order to investigate optical and spin properties of GaBiAs / GaAs quantum
wells, we performed both photoluminescence and magneto-photoluminescence
spectroscopy measurements in three samples: 10 nm quantum wells with ...
Propriedades ópticas de filmes semicondutores GaAsBi e GaSbBi
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2022-05-02)
Bismuth-diluted III-V are interesting materials for possible applications in optoeletronic and spintronic devices. If we add a small amount of Bi in III-V materials, we observe a strong reduction in the band gap energy. ...
Estudo experimental de efeitos de spin em heteroestruturas semicondutoras
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2015-04-28)
In this thesis, we have investigated optical and spin properties of semiconductor
nanostructures. Photoluminescence and magneto-photoluminescence measurements
were performed in high magnetic field (B ≤ 15T), in GaBiAs ...
Propriedades estruturais e magnéticas do isolante topológico Bi2Se3 com aglomerados de FexSey
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2016-03-29)
In this work, we discuss the growth of Fe containing Bi2 Se3epilayers on the
GaAs(111) substrate by molecular beam epitaxy (MBE) with Fe contents of in the 8-
20% range. It is shown that Bi2 Se3 film thin are grown with ...
Bi-estabilidade óptica & condensação de Bose-Einstein de polaritons
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2008-05-16)
Optical bistability e®ects (OB) are intrinsically related to the gain media non-linearities. In microcavities, this behavior is due to Kerr effect proportionate by polariton number, generated resonantly in strong -coupling ...
Investigação óptica de pontos quânticos de InAs confinados em poços quânticos de In0,15Ga0,85As
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2014-02-14)
Estruturas dot-in-a-well (DWELL) têm sido extensivamente estudadas nos últimos anos devido a sua relevância para a fabricação de dispositivos ópticos e eletrônicos, em especial os fotodetectores e lasers de alto desempenho. ...
Investigação óptica de pontos quânticos de InAs confinados em poços quânticos de In0,15Ga0,85As
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2014-02-14)
Estruturas dot-in-a-well (DWELL) têm sido extensivamente estudadas nos últimos anos devido a sua relevância para a fabricação de dispositivos ópticos e eletrônicos, em especial os fotodetectores e lasers de alto desempenho. ...
Effects of surfactant on the morphology of ??-Bi2O3 synthesized by the Sol-gel method
(Tata Institute of Fundamental Research, 2020)