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Mostrando ítems 1-10 de 88
Dinâmica de portadores e fônons quentes no GaAs
([s.n.], 1993)
Pares de electrones correlacionados por un potencial armónico y la interacción electrón-fonón fuerte
(FIGUEROA NAVARRO, CARLOS, 2003)
Pares de electrones correlacionados por un potencial armónico y la interacción electrón-fonón fuerte
(FIGUEROA NAVARRO, CARLOS, 2003)
Centros de color en diamante y nitruro de boro hexagonal: caracterización de la energía de la línea de fonón cero (ZPL) y del espectro de luminiscencia
(Universidad de Chile, 2020-01)
En esta tesis se han estudiado los centros de color NV−, NV0 y SiV− en el diamante, y el centro de color VN NB en el nitruro de boro hexagonal. Los c´alculos
han sido realizados en el marco de la teor´ıa funcional de la ...
Interação plasmon-fônon LO em superredes semicondutoras
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2008-10-07)
This work presents a Raman investigation of the optical vibrations in highly doped In-GaAs/InP and GaAs/AlGaAs superlattices (SL s). The InGaAs/InP SL s grown with different
periods were analyzed using polarized Raman ...
Interação elétron-fônon em semicondutores polares de baixa dimensionalidade
(2016-05-13)
O estudo do confinamento de fônons óticos configura um problema bastante atual no que diz respeito a semicondutores de baixa dimensionalidade, possui um papel importante na redução da taxa de espalhamento de elétrons, e ...
Magnetotunelamento numa heteroestrutura de dupla barreira composta por GaAs-AlGaAs
(Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)BrasilICE – Instituto de Ciências ExatasPrograma de Pós-graduação em FísicaUFJF, 2017)