Buscar
Mostrando ítems 1-10 de 32
Control de plataforma de degradación acelerada de transistores de potencia
(2020-07)
El objetivo del presente trabajo es desarrollar una plataforma para acelerar, automatizar y emular el proceso de degradación al que se somete un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de potencia ...
Degradación de transistores MOSFET de potencia en alimentadores de instrumentos de resonancia magnética nuclear con campo magnético ciclado
(2017-03)
En este trabajo se propone realizar un estudio de las causas de estrés a la que están sometidos los transistores MOSFET de potencia que conforman la fuente de alimentación en instrumentos de Resonancia Magnética Nuclear ...
Comportamiento mecánico y eléctrico de un gel de silicona empleado en el encapsulamiento de transistores de potencia tipo IGBT
(Universidad Católica Argentina. Facultad de Química e Ingeniería "Fray Rogelio Bacon". Departamento de Investigación Institucional, 2012)
Resumen: Los materiales dieléctricos son ampliamente utilizados en el sector energético, estando a veces sometidos a condiciones de alto estrés eléctrico, mecánico y ambiental en general, que los ponen al borde de procesos ...
Automatización de la adquisición y análisis de parámetros indicadores de degradación en MOSFET de potencia
(2020-07)
Los transistores MOSFET (transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor) de potencia se utilizan principalmente para amplificar o conmutar señales electrónicas. Existen aplicaciones en las que estos transistores ...
Caracterización de sensibilidad y degradación de películas ultra-delgadas de Al2O3 y su aplicación en sensores de estado sólido sensibles a iones
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2013)
Caracterización de sensibilidad y degradación de películas ultra-delgadas de Al2O3 y su aplicación en sensores de estado sólido sensibles a iones
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2013)