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Mostrando ítems 1-10 de 28
Determinação das capacitâncias fuga em motores de indução através do método de elementos finitosLeakage capacitances determination in induction motors through finite elements method
(Universidade Federal de UberlândiaBRPrograma de Pós-graduação em Engenharia ElétricaEngenhariasUFU, 2016)
Método para a determinação de capacitâncias parasitas em sistemas eletromagnéticos
(Universidade Federal de Santa MariaBrasilEngenharia ElétricaUFSMPrograma de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaCentro de Tecnologia, 2017-12-19)
This Doctoral Thesis presents a detailed study about stray capacitances in electromagnetic
systems, with a special focus on inductors and transformer windings. The main objective of
research is the development of a method ...
Método experimental para determinação das capacitancias parasitas do motor de indução trifásico acionado por inversor MLP
(Sociedade Brasileira de Automática, 2014)
Método experimental para determinação das capacitancias parasitas do motor de indução trifásico acionado por inversor MLP
(Sociedade Brasileira de Automática, 2012-04-01)
A proposta deste trabalho é apresentar uma nova metodologia para determinação experimental das capacitancias parasitas do motor de indução trifásico de rotor em gaiola. As capacitancias parasitas fazem parte do circuito ...
Método experimental para determinação das capacitancias parasitas do motor de indução trifásico acionado por inversor MLP
(Sociedade Brasileira de Automática, 2012-04-01)
A proposta deste trabalho é apresentar uma nova metodologia para determinação experimental das capacitancias parasitas do motor de indução trifásico de rotor em gaiola. As capacitancias parasitas fazem parte do circuito ...
Estudo das capacitâncias de porta em transistores MOS sem junção
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho consiste em apresentar e analisar o comportamento das capacitâncias de porta de um transistor sem junção (JNT). Os transistores sem junção apresentam uma estrutura semelhante aos transistores FinFET. A única ...
Estudo das capacitâncias de porta em transistores MOS sem junção
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho consiste em apresentar e analisar o comportamento das capacitâncias de porta de um transistor sem junção (JNT). Os transistores sem junção apresentam uma estrutura semelhante aos transistores FinFET. A única ...
Modelo matemático de linhas de transmissão, contemplando influências ambientais, para o trecho Guamá-Utinga, localizado em Belém, pertencente à Eletronorte
(Universidade Federal do ParáBrasilInstituto de TecnologiaUFPAPrograma de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, 2012)