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Mostrando ítems 1-10 de 64
Hole mobility in zincblende c-GaN
(Amer Inst PhysicsMelvilleEUA, 2004)
Estudo teórico das propriedades estruturais e eletrônicas do GaN e do semicondutor magnético Ga1-xMnxN no bulk e na superfície
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2011-09-22)
Este trabalho é resultado de um estudo teórico sobre o GaN e o Semicondutor Magnético Ga1-xMnxN, tanto para bulk (sólido) como para as superfícies nanoestruturadas mais estáveis, dada sua importância para o desenvolvimento ...
Transient transport in III-nitrides: interplay of momentum and energy relaxation times
(Iop Publishing LtdBristolInglaterra, 2007)
Estudo teórico das propriedades estruturais e eletrônicas do GaN e do semicondutor magnético Ga1-xMnxN no bulk e na superfície
(Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2014)
Estudo teórico das propriedades estruturais e eletrônicas do GaN e do semicondutor magnético Ga1-xMnxN no bulk e na superfície
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2014)
Estudo teórico da estabilidade e propriedades eletrônicas de defeitos em nanotubos de GaN
(Universidade Federal de Santa MariaBRFísicaUFSMPrograma de Pós-Graduação em Física, 2008-03-05)
The stability and electronic properties of antisities, vacancies and substitutional Si and C impurities in
GaN nanotubes are studied using spin-polarized density functional theory within the local density approximation
(LDA) ...
Structural, electronic and mechanical properties of single-walled AlN and GaN nanotubes via DFT/B3LYP
(2019-02-01)
Density functional theory with B3LYP hybrid functional and all-electron basis set was applied to study the AlN (SWAlNNTs) and GaN (SWGaNNTs) single-walled nanotubes.The structural and electronic properties were analyzed in ...
“Adsorción y difusión de metales de transición 3d sobre la superficie (0001)GaN. Estudio mediante DFT”
(2010)
En el presente trabajo de tesis doctoral se realizó un estudio detallado de los procesos de adsorción y difusión de átomos de metales de transición 3d (MT), en particular V, Ni y Fe, sobre la superficie (0001)GaN, a partir ...
Strain- and electric field-induced band gap modulation in nitride nanomembranes
(2013-05-15)
The hexagonal nanomembranes of the group III-nitrides are a subject of interest due to their novel technological applications. In this paper, we investigate the strain- and electric field-induced modulation of their band ...
Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN
(Amer Inst PhysicsMelvilleEUA, 2006)