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Mostrando ítems 1-10 de 430
Raman phonon modes of zinc blende InxGa1-xN alloy epitaxial layers
(Amer Inst PhysicsWoodburyEUA, 1999)
Projeto e construção de um sistema de crescimento epitaxial por feixe molecularProject and construction of a molecular beam epitaxy growth system
(Universidade Federal de ViçosaBRFísica Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.Mestrado em Física AplicadaUFV, 2015)
Residual carbon and carrier concentration in InGaP layers grown by chemical beam epitaxy
(Elsevier Science SaLausanneSuíça, 2003)
Growth of Be-doped homoepitaxial GaAs films on rough substrates
(Elsevier Science BvAmsterdamHolanda, 1999)
On the onset of InAs islanding on InP: influence of surface steps
(Elsevier Science BvAmsterdamHolanda, 1997)
Overgrowth of wrinkled InGaAs membranes using molecular beam epitaxy
(Journal of Crystal Growth, 2018)