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Mostrando ítems 1-10 de 41
Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS2Dependencia con la presión del índice de refracción del AgGaS2
(Revista Mexicana de Física, 2011)
Absorción óptica a altas presiones del TLGaSe2Absorción óptica a altas presiones del TLGaSe2
(Revista Mexicana de Física, 2010)
Montagem de um sistema de micro-PL em baixas temperaturas para o estudo de semicondutores bidimensionais
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2020-02-28)
Transition metal dicalcogenides (TMDs) are materials that have been attracted great attention in recent years, both from the point of view of fundamental physics and for a new generation of optoelectronic and spintronic ...
Estudios fotocatalíticos de reducción y oxidación con TiO2, Fe/TiO2 y Pt/TiO2Photocatalytic studies of reduction and oxidation with TiO2, Fe/TiO2 and Pt/TiO2
(Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Universidad de Buenos Aires, 2012)
Nanomateriales que revolucionan la tecnología : perspectivas y aplicaciones en espintrónica
(Universidad Nacional de ColombiaSede BogotáBogotá, Colombia, 2020)
Este libro contiene fundamentos importantes desarrollados en trabajos de
investigación, análisis y documentación, que permiten conocer la incidencia
positiva de nuevos materiales basados en nanoestructuras semiconductoras
y ...
Application of Low-Level Laser Irradiation (LLLI) and rhBMP-2 in Critical Bone Defect of Ovariectomized Rats: Histomorphometric Evaluation
(MARY ANN LIEBERT INC, 2011)
Objectives: The aim of this study was to evaluate the osteogenic potential of recombinant human bone morphogenetic protein-2 (rhBMP-2) and low-level laser irradiation (LLLI), isolated or combined in critical bone defects ...
ELECTRONIC BAND STRUCTURE OF THE ORDERED Zn0.5Cd0.5Se ALLOY CALCULATED BY THE SEMI-EMPIRICAL TIGHT-BINDING METHOD CONSIDERING SECOND-NEAREST NEIGHBOR
Aunque la descripción de las aleaciones ternarias semiconductoras se hace tradicionalmente asumiendo la aproximación de compuesto pseudo-binario. Para el caso de aleaciones artificiales de compuestos II-VI y III-V, en las ...
ELECTRONIC BAND STRUCTURE OF THE ORDERED Zn0.5Cd0.5Se ALLOY CALCULATED BY THE SEMI-EMPIRICAL TIGHT-BINDING METHOD CONSIDERING SECOND-NEAREST NEIGHBOR
Aunque la descripción de las aleaciones ternarias semiconductoras se hace tradicionalmente asumiendo la aproximación de compuesto pseudo-binario. Para el caso de aleaciones artificiales de compuestos II-VI y III-V, en las ...