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Mostrando ítems 1-8 de 8
a-Si:H crystallization from isothermal annealing and its dependence on the substrate used
(2012-11-27)
We present hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films which were deposited on two different substrates
(glass and mono-crystalline silicon) after an isothermal annealing treatment at 250 ◦C for up to
14 h. The annealed ...
a-Si:H crystallization from isothermal annealing and its dependence on the substrate used
(2012-11-27)
We present hydrogenated amorphous silicon ( a-Si:H) films which were deposited on two different sub
strates (glass and mono-crystalline silicon) after an isothermal annealing treatment at 250"( for up to
14 h.The ...
a-Si:H crystallization from isothermal annealing and its dependence on the substrate used
(2012-11-27)
We present hydrogenated amorphous silicon ( a-Si:H) films which were deposited on two different sub
strates (glass and mono-crystalline silicon) after an isothermal annealing treatment at 250"( for up to
14 h.The ...
Aluminum-induced crystallization of hydrogenated amorphous germanium thin films
(Amer Inst PhysicsMelvilleEUA, 2001)
Nanomateriales que revolucionan la tecnología : perspectivas y aplicaciones en espintrónica
(Universidad Nacional de ColombiaSede BogotáBogotá, Colombia, 2020)
Este libro contiene fundamentos importantes desarrollados en trabajos de
investigación, análisis y documentación, que permiten conocer la incidencia
positiva de nuevos materiales basados en nanoestructuras semiconductoras
y ...
Efecto de la rotación del sustrato sobre los exponentes de escalamiento de la rugosidad en películas crecidas mediante la técnica GLAD
(Manizales - Ciencias Exactas y Naturales - Maestría en Ciencias - FísicaDepartamento de Física y QuímicaUniversidad Nacional de Colombia - Sede Manizales, 2020)
El presente trabajo es un estudio de la influencia de la rotación del sustrato, sobre los exponentes de escalamiento de la rugosidad de películas delgadas de circonio (Zr).
Películas de Zr fueron depositadas mediante la ...