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Mostrando ítems 61-70 de 106
Segregação do índio em cristais Ga1-xInxSb obtidos pelo método bridgman vertical
(Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPorto Alegre, 2012)
Este trabalho descreve o crescimento e a caracterização de cristais de compostos semicondutores III-V, Ga1-xInxSb levemente dopados com Alumínio (Al) e cádmio (Cd). O composto Ga1-xInxSb é um material interessante para o ...
Segregação do índio em cristais Ga1-xInxSb obtidos pelo método bridgman vertical
(Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do SulPorto Alegre, 2012)
Este trabalho descreve o crescimento e a caracterização de cristais de compostos semicondutores III-V, Ga1-xInxSb levemente dopados com Alumínio (Al) e cádmio (Cd). O composto Ga1-xInxSb é um material interessante para o ...
Laüe back-reflection method for crystallographic orientation of a martensitic Cu-Zn-Al single crystal of the monoclinic system
(Sociedade Brasileira de Química, 2008-01-01)
A martensitic single crystal Cu-23.95Zn-3.62(wt.%)Al alloy was obtained melting pure Cu, Zn and Al using Bridgman's method. The martensitic phase (monoclinic) can present up to 24 variants, and orienting the surface according ...
Laüe back-reflection method for crystallographic orientation of a martensitic Cu-Zn-Al single crystal of the monoclinic system
(Sociedade Brasileira de Química, 2008-01-01)
A martensitic single crystal Cu-23.95Zn-3.62(wt.%)Al alloy was obtained melting pure Cu, Zn and Al using Bridgman's method. The martensitic phase (monoclinic) can present up to 24 variants, and orienting the surface according ...