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Mostrando ítems 61-70 de 462
Estrutura eletrônica e propriedades elétricas fotoinduzidas em filmes finos de SnO2 com dopagem de Sb, e formação de heteroestruturas com TiO2
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2014)
Influência da atmosfera e da incidência de radiação ultravioleta nas propriedades elétricas de transistores de filme fino de óxidos metálicos processados por solução.
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2018-04-04)
Neste trabalho, foram desenvolvidos e caracterizados transistores de filme fino (TFTs) de óxidos metálicos processados por solução, tendo como camada ativa filmes de óxido de zinco (ZnO), de óxido de zinco dopado com ...
Estrutura eletrônica e propriedades elétricas fotoinduzidas em filmes finos de SnO2 com dopagem de Sb, e formação de heteroestruturas com TiO2
(Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2014)
Investigação de propriedades de filmes finos de Sn'O IND. 2' e 'Al IND. 2''O IND. 3' para aplicação em dispositivos
(Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2014)
Síntese e caracterização estrutural de filmes finos Bi4Ti3O12
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2007-04-27)
Na última década, cresceu consideravelmente o interesse pela produção de filmes finos ferroelétricos, em virtude do grande potencial que estes materiais apresentam para a produção de dispositivos de memória ferroelétrica ...
Síntese e caracterização estrutural de filmes finos Bi4Ti3O12
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2007-04-27)
Na última década, cresceu consideravelmente o interesse pela produção de filmes finos ferroelétricos, em virtude do grande potencial que estes materiais apresentam para a produção de dispositivos de memória ferroelétrica ...
Investigação de propriedades de filmes finos de Al2O3 para aplicação em dispositivos eletrônicos
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2014-02-10)
O escopo deste trabalho é a obtenção de filmes finos de óxido de alumínio (alumina) através da evaporação resitiva de alumínio, seguido da oxidação térmica em atmosfera adequada (ar ou rica em O2), com varaiação do tempo ...
Investigação de propriedades de filmes finos de Al2O3 para aplicação em dispositivos eletrônicos
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2014-02-10)
O escopo deste trabalho é a obtenção de filmes finos de óxido de alumínio (alumina) através da evaporação resitiva de alumínio, seguido da oxidação térmica em atmosfera adequada (ar ou rica em O2), com varaiação do tempo ...
Desenvolvimento de filmes finos de Bi3NbO7 pelo método dos precursores poliméricos em diferentes eletrodos óxidos
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2015)