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Mostrando ítems 51-60 de 143
Dielectric and fatigue properties of Pb(Zr0.53Ti0.47)O-3 thin films prepared from oxide precursors method
(Materials Research Society, 2005-01-01)
Fatigue is an important problem to be considered if a ferroelectric film is used for non-volatile memory devices. In this phenomena, the remanent polarization and coercive field properties degrades in cycles which increase ...
Projeto de placas de circuito impresso com FPGAs para uso em ambiente espacial
(2019)
Este trabalho apresenta um texto introdutório à teoria que fundamenta projetos de placas de circuito impresso (PCI), especialmente projetos com sinais de alta velocidade. Para além disto, relata o processo de concepção e ...
Comutação resistiva por filamentos verticais em filmes finos de ZnO
(Universidade Federal de SergipePós-Graduação em FísicaBrasilUFS, 2017)
Retentivity of RRAM devices based on metal/YBCO interfaces
(Cambridge University Press, 2011-05)
The retention time of the resistive state is a key parameter that characterizes the possible utilization of the RRAM devices as a non - volatile memory device. The understanding of the mechanism of the time relaxation ...
Dielectric and fatigue properties of Pb(Zr0.53Ti0.47)O-3 thin films prepared from oxide precursors method
(Materials Research Society, 2014)
Estudio de las propiedades físicas del TiO2:Co como un semiconductor magnético diluido para aplicaciones en espintrónica
(2019-08-27)
Este trabajo presenta un studio de las propiedades estructurales, morfológicas, eléctricas y magnéticas de películas delgadas fabricadas por DC “magnetrón co-sputtering” y nanotubos obtenidos por anodizado electroquímico ...
Caracterización y estudio de dispositivos basados en nanoestructuras de ZnO:Co para su aplicación en memorias no volátiles usando una configuración tipo transistor
(Universidad Nacional de ColombiaBogotá - Ciencias - Maestría en Ciencias - FísicaDepartamento de FísicaFacultad de CienciasBogotá, ColombiaUniversidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá, 2022-08)
En este trabajo se prepararon muestras de pelı́culas delgadas de óxido de zinc dopadas con cobalto (ZnO:Co) por medio del método de pulverización catódica (DC magnetron co-sputtering), variando los parámetros de sı́ntesis ...
Electrode-Geometry Control of the Formation of a Conductive Bridge in Oxide Resistance Switching Devices
(Japan Society Applied Physics, 2009-10)
Control of the formation of conductive bridge between the metal electrodes in planar-type resistance switching device was attempted. We demonstrated in Pt/CuO/Pt devices that, using a triangular seed electrode for soft ...