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Mostrando ítems 51-60 de 79
Caracterização de ZnSe crescido por CVT para aplicação como bolômetro cintilante
(Universidade Federal de Minas GeraisBrasilICEX - INSTITUTO DE CIÊNCIAS EXATASPrograma de Pós-Graduação em FísicaUFMG, 2020-02-19)
In this work, three groups with different stoichiometric ratios of ultra-pure non-enriched and non-luminescent polycrystalline zinc selenide samples grown by the chemical vapor transport method (CVT) are characterized. The ...
Estudo teórico da estabilidade e propriedades eletrônicas de defeitos em nanotubos de GaN
(Universidade Federal de Santa MariaBRFísicaUFSMPrograma de Pós-Graduação em Física, 2008-03-05)
The stability and electronic properties of antisities, vacancies and substitutional Si and C impurities in
GaN nanotubes are studied using spin-polarized density functional theory within the local density approximation
(LDA) ...
Síntese, caracterização e avaliação da atividade antimicrobiana de complexos derivados de ligantes (N, S, O) ambidentadosSynthesis, characterization and evaluation of antimicrobial activity of complexes derived of (N, S, O) ambidentate ligands
(Universidade Federal de ViçosaBRAgroquímica analítica; Agroquímica inorgânica e Físico-química; Agroquímica orgânicaMestrado em AgroquímicaUFV, 2015)
Synthesis, characterization and antimicrobial activity of a pd(ii) complex with a 1,3-diphenylpyrazole-4-carboxaldehyde thiosemicarbazone ligandSíntesis, caracterización y actividad antimicrobial de un complejo de pd(ii) con ligante 1,3-difenilpirazol-4-carboxaldehído tiosemicarbazona
(Universidad de Ciencias Aplicadas y Ambientales U.D.C.A, 2014)
DFT assessments of BN, AlN, and GaN decorated carbon cage scaffolds for sensing the thiamazole drug
(Elsevier LtdEC, 2023-03-02)
Sensing drug substances by nanostructures are very important in accordance with the management of targeted drug delivery processes and drug substances detections. Boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), and gallium ...
An evolutionary approach for semiconductor nanodevices optimization
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2014-02-21)
One of the main reasons for the large computational development seen in recent decades has been the continued miniaturization of transistors in size. However, we are close to the physical limit of miniaturization of the ...
Compensación de un predistorsionador adaptativo indirecto y su realización digital en FPGA
(2018-12-07)
RESUMEN: En este trabajo de investigación se describe la metodología de diseño para linealización de modelos de comportamiento de amplificadores de potencia de RF (RF-PA) mediante predistorsión digital (DPD) considerando ...