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Mostrando ítems 31-40 de 91
Estudo dos efeitos transitórios da radiação sobre a confiabilidade de transistores SOI
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Investigação da condução elétrica em fitas duplas de dna imobilizadas em eletrodos de ouro por medidas eletroquímicas
(Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2015)
Investigação da condução elétrica em fitas duplas de dna imobilizadas em eletrodos de ouro por medidas eletroquímicas
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2015)
Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do ...
Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do ...
Dependence of Generation-Recombination Noise With Gate Voltage in FD SOI MOSFETs
(IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INCPISCATAWAY, 2012)
A model for computing the generation-recombination noise due to traps within the semiconductor film of fully depleted silicon-on-insulator MOSFET transistors is presented. Dependence of the corner frequency of the Lorentzian ...
Polímeros condutores: uma breve introdução ao assunto
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarCâmpus SorocabaQuímica - QL-So, 2020-07-01)
The science development is linked in to how the human being observes the nature and
removes the inputs for the construction of tools that facilitates their lifelong journey.
Perception of semiconductor properties in ...
Low frequency noise performance of horizontal, stacked and vertical silicon nanowire MOSFETs
(2021-10-01)
The low frequency noise performance of Gate-All-Around Nanowire (NW) or Nanosheet (NS) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) is investigated, taking account of the impact of the device architecture, ...
SOI Stacked Transistors Tolerance to Single-Event Effects
(2019)
© 2001-2011 IEEE.This paper addresses a quantitative study of the reliability improvement of the stacked transistor structure. The susceptibility of integrated circuits to single-event effects caused by interaction with ...