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Mostrando ítems 31-40 de 120
Investigação das propriedades ópticas, morfológicas e elétricas da heterojunção SnO2: Ce3+/ GaAs
(Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2016)
Matrizes semicondutoras GaAs e Sn'X IND. 2' dopado com terras-raras Ce ou Eu: investigação do transporte elétrico
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2009-07-06)
Dióxido de estanho (Sn'X IND. 2') é um semicondutor de bandgap largo com condutividade do tipo-n na forma não dopada, sendo aplicado em dispositivos diversos. Neste trabalho, filmes finos e géis secos de Sn'X IND. 2' dopados ...
Efeitos da radiação laser Arseneto de Gálio e Alumínio (780nm) no periodonto de sustentação de ratos diabéticos durante movimentação ortodôntica: analises radiográfica e histológica
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2011-11-25)
Diabetes Mellitus (DM) é considerado uma epidemia mundial, suas complicações implicam em alterações sistêmicas generalizadas. Concomitantemente cresce a acessibilidade e adesão da população brasileira, incluindo pacientes ...
Efeitos da radiação laser Arseneto de Gálio e Alumínio (780nm) no periodonto de sustentação de ratos diabéticos durante movimentação ortodôntica: analises radiográfica e histológica
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2011-11-25)
Diabetes Mellitus (DM) é considerado uma epidemia mundial, suas complicações implicam em alterações sistêmicas generalizadas. Concomitantemente cresce a acessibilidade e adesão da população brasileira, incluindo pacientes ...
Matrizes semicondutoras GaAs e Sn'X IND. 2' dopado com terras-raras Ce ou Eu: investigação do transporte elétrico
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2009-07-06)
Dióxido de estanho (Sn'X IND. 2') é um semicondutor de bandgap largo com condutividade do tipo-n na forma não dopada, sendo aplicado em dispositivos diversos. Neste trabalho, filmes finos e géis secos de Sn'X IND. 2' dopados ...
Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2011-10-14)
In this work, we have investigated Ga1-xMnxAs/GaAs/AlAs quantum wells (QWs) with low Mn concentration (x < 0.1%) grown by Molecular Beam Epitaxy at substrate temperatures of 400 and 450°C. We have investigated the time-resolved ...
Matrizes semicondutoras GaAs e Sn'X IND. 2' dopado com terras-raras Ce ou Eu: investigação do transporte elétrico
(Universidade Estadual Paulista (UNESP), 2014)
Estudo comparativo das diferentes densidades de energia do laser arseneto de gálio e alumínio (λ=780) aplicado no periodonto de ratos diabéticos, após movimentação ortodôntica: análises radiográfica e histológica
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2011-07-15)
Diabetes Mellitus (DM) está aumentando de forma exponencial, adquirindo características epidêmicas em vários países, particularmente os em desenvolvimento, evoluindo silenciosamente e levando à várias complicações.Concom ...
Efeitos do laser de baixa potência arseneto de gálio (AsGa) sobre as manifestações locais agudas induzidas pelo veneno de Bothrops moojeni
(UNIFAP - Universidade Federal do AmapáBrasil, 22-06-2012)
The accidents caused by snakes of the Bothrops genus cause local and systemic manifestations, whose treatment is accomplished by administration of snakebite serum. However, the efficacy of serotherapy is limited only ...