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Mostrando ítems 21831-21840 de 21919
Estudo de SOI MOSFETs com estilos de leiaute não convencionais el altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Neste trabalho, o impacto dos efeitos das altas temperaturas são experimentalmente investigado ao longo de uma grande faixa de temperatura (300 K a 573 K) considerando os estilos de leiaute hexagonal e octogonal usados ...
Otimização e mapeamento multivariado dos amplificador operacional de transcondutância por algoritmos genéticos.
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Esta dissertação propõe a utilização de uma técnica de Inteligência Artificial denominada Algoritmos Genéticos (AG) para o mapeamento, compreensão e otimização multivariada e com múltiplos objetivos do projeto do amplificador ...
Estudo dos estilos de leiaute não convencionais para mosfets planares em altas temperaturas considerando-se o nó tecnológico de 180nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Esta tese de doutorado teve por objetivo estudar os impactos no desempenho elétrico dos transistores de efeito de campo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Field Effect Transistors, MOSFETs) implementados ...
Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores
fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded-
Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente ...
Influência do potencial de substrato sobre o ruído de baixa frequência de nanofios transistores MOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Este trabalho tem por objetivo estudar pela primeira vez o efeito da polarização de
substrato sobre o ruído de baixa frequência em nanofios transistores MOS, tipo N, totalmente
depletados, implementados em tecnologia ...
Influência de parâmetros tecnológicos e geométricos sobre o desempenho de transistores SOI de canal gradual
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem como objetivo estudar a influência de parâmetros tecnológicos, geométricos e de polarização sobre o comportamento analógico dos transistores Silício-Sobre-Isolante nMOSFET de Canal Gradual (GC SOI), ...
Comunicação de expressões espaciais em sistemas multi-agentes utilizando a ego-esfera qualitativa
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
A necessidade de representações espaciais e raciocínio espacial é onipresente em Inteligência Artificial (IA). Investigação em raciocínio espacial qualitativo (REQ) (sub-área da IA) tem como desafio criar formalismos que ...
Programação em lógica não-monotônica aplicada à redução do espaço de planos em processos de decisão de Markov
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
Um desafio presente em problemas de tomada de decisão sequencial é o fato de que, ao longo do tempo, um domínio pode sofrer alterações não previstas. Enquanto que descrever apenas o domínio atual faz com que a chance de ...
Distorção harmônica entre os MOSFETs implementados com os estilos de leiaute do tipo diamante híbrido e convencionais
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Na atualidade, há diferentes frentes de pesquisa (uso de novas estruturas de transistores, novos materiais, etc.) quer nas instituições de ensino, quer nos centros de pesquisa, visando a redução das dimensões do Transistor ...
Leiaute diamante par MOSFETS sob os efeitos das radiações ionizantes
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os circuitos integrados (CIs) e eletrônicos são bastante influenciados pelas radiações ionizantes. Para atender os rigorosos requisitos de operação desses CIs em ambiente espacial, há necessidade da realização de testes ...