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Mostrando ítems 11-20 de 25
Distorção harmônica entre os MOSFETs implementados com os estilos de leiaute do tipo diamante híbrido e convencionais
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Na atualidade, há diferentes frentes de pesquisa (uso de novas estruturas de transistores, novos materiais, etc.) quer nas instituições de ensino, quer nos centros de pesquisa, visando a redução das dimensões do Transistor ...
Estudo e análise comparativa de perdas em chaves semicondutores em acionamento de motores elétricos
(Universidade Federal de Santa MariaBrasilUFSMCentro de Tecnologia, 2022-02-15)
This work presents a comparative study between the power and efficiency losses of silicon
IGBTs semiconductors and silicon carbide MOSFETs. Through this, we seek to establish a
theoretical basis for the exchange of ...
Análise numérica de perdas em MOSFETs de potência
(Universidade Federal de Juiz de Fora (UFJF)BrasilFaculdade de EngenhariaPrograma de Pós-graduação em Engenharia ElétricaUFJF, 2020)
Diseño y construcción de un bloque constructivo de electrónica de potencia basado en MOSFETs de SiC
(Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería; Argentina, 2021)
Diseño y construcción de un bloque constructivo de electrónica de potencia basado en MOSFETs de SiC
(Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería; Argentina, 2021)
Comparación de la eficiencia de los semiconductores Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de Galio (GaN) para transistores de potencia MOSFET, a través del diseño e implementación de un conversor DC-AC
(Universidad Nacional de ColombiaBogotá - Ingeniería - Maestría en Ingeniería - Automatización IndustrialDepartamento de Ingeniería Eléctrica y ElectrónicaFacultad de IngenieríaBogotá, ColombiaUniversidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá, 2021-06-14)
Con el propósito de mejorar la eficiencia energética de los convertidores de potencia utilizados en la generación, almacenaje y distribución de energía; en la presente investigación se analizan las ventajas de implementar ...
Retificador PFC três níveis monofásico baseado em semicondutores de GaN
(2018)
Esta dissertação de mestrado apresenta o estudo de uma topologia retificadora três níveis monofásica com correção de fator de potência utilizando interruptores de Nitreto de Gálio (GaN) bem como modulação e controle baseados ...