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Mostrando ítems 11-20 de 2443
Optimización de los parámetros de crecimiento de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb fabricada por la técnica de epitaxia en fase líquida
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2013-02-01)
El crecimiento de una estructura cristalina epitaxial haciendo uso de la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) se puede desglosar en tres componentes procedimentales, la preparación de la solución líquida precursora, ...
Nanofios de arseneto de gálio e arseneto de alumínio
(Universidade Federal de Santa MariaCentro de Ciências Naturais e Exatas, 2008-01-30)
We present a first principle study of both bulk e nanowire phases of GaAs and AlAs. We first reproduced the known properties of the bulk materials and then applied the same methodology to study the properties with the ...
Magnetic-field effects on shallow impurities in semiconductor GaAs-(Ga,Al)As quantum wells and superlattices within a fractional-dimensional space approach
(Elsevier Science BvAmsterdamHolanda, 2000)
Magneto-tunelamento ressonante em super-redes de GaAs/AsGaAs
(Universidade Federal de Minas GeraisUFMG, 2008-09-05)
In this thesis we present three works in weakly coupled semiconductor superlattices of GaAs/AlGaAs. In the first work we present an investigation of the electric field domain configuration in the sequential tunneling regime ...
Valence band anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain
(2004-05-17)
We present here the study of the effects of the biaxial tensile strain on the optical properties in GaAs/AlGaAs quantum wells using low-temperature photoluminescence and photoluminescence excitation techniques. We used a ...
Terahertz GaAs/AlAs quantum-cascade lasers
(American Institute of Physics, 2016-03)
We have realized GaAs/AlAs quantum-cascade lasers operating at 4.75 THz exhibiting more than three times higher wall plug efficiencies than GaAs/Al0.25Ga0.75As lasers with an almost identical design. At the same time, the ...
Estudio de vacancias en Cr:GaAs usando DFT
(2012)
En esta tesis de maestría se presentan los resultados del estudio mediante DFT de las propiedades electrónicas, magnéticas y estructurales del Ga1−xCrxAs, dado que en este material se ha encontrado que al hacer sustituciones ...
State coupling effects in GaAs/InGaAs/AlGaAs modulation doped quantum wells
(Amer Inst PhysicsWoodbury, 1996)