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Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras
Registro en:
García Méndez, Manuel y Morales Rodríguez, Santos (2013) Crecimiento direccional de películas delgadas de AlN de propiedades compatibles con heteroestructuras semiconductoras. Ciencia UANL, 16 (63). pp. 74-88. ISSN 2007-1175
Autor
García Méndez, Manuel
Morales Rodríguez, Santos
Institución
Resumen
En este trabajo, se presentan los resultados de una
investigación que consistió en el depósito y crecimiento
de películas delgadas de nitruro de aluminio
(AlN) al emplear la técnica de erosión iónica reactiva por corriente directa (DC). Las películas presentan
un crecimiento preferencial, por lo que poseen propiedades
compatibles para ser empleadas en
heterouniones de ultralarga integración (ULSI, por
sus siglas en inglés: Ultra Large Scale
Integration).Todas las películas están conformadas
por una fase mayoritaria de AlN tipo würzita con la
presencia de fases dispersas de AlOx. Esta fase dispersa
tiende a modificar las propiedades de estructura
de la muestra como un todo. Se describe el análisis
experimental de las propiedades estructurales,
ópticas y electrónicas de las películas, y se sustenta
este análisis con cálculos teóricos.