Tesis
Difusão de Sn em GaAs usando fonte de SiO2 dopado
Registro en:
Autor
Santos, Thebano Emilio de Almeida
Institución
Resumen
Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin Resumo: É feito um estudo sobre difusão de estanho em GaAs dopado com Cr (semi-isolante) e tipo p através da técnica que utiliza filme de SiO2:Sn depositado sobre a amostra. Neste estudo, evidencia-se as influências da conversão do GaAs dopado com Cr e das vacâncias de Ga.
Os resultados obtidos são comparados com os da literatura Abstract: Not informed. Mestrado Física Mestre em Física