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Mostrando ítems 11-20 de 250
Caracterización Óptica de Películas Cuaternarias de GaInAsSb por Fotoluminiscencia
(Instituto Politecnico Nacional, 2013-01-16)
Caracterización por Fotorreflectancia de Aleaciones Semiconductoras Cuaternarias de GaInAsSb impurificadas con Telurio
(Instituto Politecnico Nacional, 2013-01-16)
REFRACTIVE-INDEX STEP AND OPTICAL CONFINEMENT IN GA0.86IN0.14AS0.13SB0.87/GA0.73AL0.27AS0.02SB0.98 DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LASERS EMITTING AT 2.2-MU-M
(Iee-inst Elec EngHertfordInglaterra, 1993)
Study of temperature and indium concentration-dependent dielectric constant and electron adffinity effects on the exciton optical transition and binding energy in spherical GaSb-Ga1-xInxAsySb1-y-GaSb quantum dots
(Elsevier, 2010)
Hemos estudiado los estados de excitación de orificios pesados en GaSb – GaInAsSb – GaSb tipo-I Puntos cuánticos esféricos, utilizando constante dieléctrica estática dependiente de la temperatura y afinidad electrónica, ...
Estudio de la respuesta óptica de películas de GainAsSb sometidas a ataque químico
(Ciencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales, 2008-09-05)
La técnica de epitaxia en fase líquida es un método de fabricación de semiconductores de gran potencialidad para la creación de dispositivos que requieran áreas considerables, como en el caso de los fotodetectores. Además, ...
Fabricación de espejos microscopicos en InAs y GaSb para su aplicación en laseres de emisión superficial
(Facultad de Ciencias, 2014)
Electron g factor anisotropy in asymmetric III–V semiconductor quantum wells
(2016)
The electron effective g factor tensor in asymmetric III–V semiconductor quantum wells
(AQWs) and its tuning with the structure parameters and composition are investigated with
envelope-function theory and the 8´8 k · p ...