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Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (Brasil)
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Artigo de peri??dico
Trace impurities analysis determined by neutron activation in the PbIsub(2) crystal semiconductor
Registro en:
0168-9002
http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/5821
1/2
505
Section A
https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8976569
Autor
HAMADA, M.M.
OLIVEIRA, I.B.
ARMELIN, M.J.
MESQUITA, C.H.
Institución
Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (Brasil)
Materias
semiconductor materials
lead iodides
crystals
crystal growth
bridgman method
purification
zone refining
impurities
trace amounts
neutron activation analysis
semiconductor detectors
radiation detectors
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