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Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2012-03-27)
In this work, we have investigated the spin effects in p-i-p GaAs/AlAs resonant tunneling diodes under magnetic field parallel to the tunnel current. The spin-dependent tunneling of carriers was studied by analyzing the ...
Optical and transport properties of p-i-n GaAs/AlAs resonant tunneling diode
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2014-05-26)
In this thesis, we have investigated the optical and transport properties of a p-i-n GaAs-AlAs resonant tunneling diode (RTD). The possibility of controlling and significantly varying the density of carriers accumulated ...
Estudo da dinâmica de portadores em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2007-02-27)
Photoluminescence spectroscopy has been used to provide important insight
on the tunneling dynamics of carriers in double barrier diodes. In this work, we have
performed time-resolved photoluminescence measurements in ...
Contraste entre propriedades optoeletrônicas em estruturas de tunelamento ressonante n-i-n baseadas em GaAs
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2019-05-15)
Resonant Tunneling Diodes (RTDs) are semiconductor devices usually composed of two barrier structures embedding a single quantum well (QW) and highly doped layers in its extremities. Under an applied bias voltage, the ...
Charge carrier dynamics and optoelectronic properties in quantum tunneling heterostructures
(Universidade Federal de São CarlosUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFCâmpus São Carlos, 2021-09-17)
Semiconductor quantum tunneling heterostructures offer a wide range of applications as photosensors, lasers, and circuit elements. However, fundamental questions related to energy transfer mechanisms and the correlation ...
Análise numérica e experimental na determinação da potência térmica dissipada em componentes eletrônicos
(Universidade Estadual Paulista (Unesp), 2008-11-28)
Os objetivos deste trabalho são determinar a potência térmica dissipada dos componentes eletrônicos de forma experimental e verificar a eficácia do método através de simulações numéricas computacionais utilizando o software ...
Propriedades magneto-óticas e de magneto-transporte de um diodo de tunelamento ressonante contendo Si δ - doping no poço quântico
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2011-03-11)
In this work, we have studied the transport and optical properties of GaAs = AlGaAs resonant tunneling diodes with Si delta-doping at the center of the quantum well. We have studied magneto-transport and polarized resolved ...
Magnetorresistência túnel ressonante e acoplamento magnético em heteroestruturas epitaxiais.
(Universidade Federal de São CarlosBRUFSCarPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGF, 2004-10-29)
In the context of spin electronics, this doctorate thesis presents an
experimental study of spin polarized transport in epitaxial heterostructures as planar
magnetic tunnel junctions formed by semiconductors and metallic ...