Não possui Abstract.A área da eletrônica orgânicos nos últimos anos têm ganhado grande atenção da comu- nidade científica devido às possibilidades de aplicações em dispositivos eletrônicos, tais como LEDS (dispositivos emissores de luz), células fotovoltaicas, transistores ou sensores.Dentre as características atrativas destes materiais, destacamos o baixo custo, facilidadede processamento utilizando métodos de química molhada, flexibilidade estrutural e pos- sibilidade de construção de dispositivos com grandes áreas. Entretanto, para se obter dis- positivos eficientes, é fundamental que o semicondutor orgânico empregado como camada ativa tenha alta mobilidade e estabilidade em atmosfera. A construção de dispositivos eficientes tem se mostrado um desafio. Do ponto de vista da modelagem computacional, o problema de estudar esse tipo de material é a complexidade dos cálculos utilizando métodos de primeiros princípios. Metodologias baseadas na Teoria do Funcional da Den- sidade (Density Functional Theory - DFT) tem sido empregadas, mas, nestes casos, não é possível descrever adequadamente as interações de longo alcance com os funcionais de troca e correlação padrões. É imperativo o uso de correções para descrição das forças de van der Waals (vdW) existentes entre as moléculas. No presente trabalho, apresenta- mos resultados para investigações das propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT (dinafto[2,3-b:2,3-f]thieno[3,2-b]-tiofeno) e DNSS (dinafto[2,3-b:2,3-f]thieno[3,2- b]-selofeno) empregando duas metodologias de correção das forças de van der Waals no funcional de troca e correlação GGA-PBE: uma correção empírica, baseada nos coeficien- tes C6 e uma correção não empírica e não local. Nosso foco é discutir a eficiência e precisão na descrição das propriedades destes dois semicondutores utilizando duas estratégias dis- tintas para descrever as interações de van der Waals. Obtivemos sucesso com as duas correções, entretanto, a correção empírica tem mostrado resultados mais promissores.