Este trabalho tem como objetivo a avalia????o dosim??trica de componentes semicondutores (detectores Barreira de Superf??cie e fotodiodos PIN) para aplica????o em medi????es de dose equivalente em campos de baixo fluxo de n??utrons (r??pidos e t??rmicos), utilizando uma fonte de AmBe de alto fluxo, a instala????o de Neutrongrafia do reator IEA-R1 (fluxos t??rmicos/epit??rmicos) e fluxo de n??utrons r??pidos do n??cleo do reator IPEN/MB-01 (UCRI Unidade Cr??tica). Para a detec????o de n??utrons (t??rmicos, epit??rmicos e r??pidos) foram usados componentes moderadores e conversores (parafina, boro e polietileno). Os fluxos resultantes da modera????o e convers??o foram utilizados para a irradia????o de componentes semicondutores (SSB - Barreira de Superf??cie e fotodiodos). Foi utilizado tamb??m um conversor misto constitu??do de uma folha de polietileno borado (marca Kodak). O m??todo de simula????o por Monte Carlo foi utilizado para avaliar de forma anal??tica a espessura ??tima da parafina. O resultado obtido foi similar ao verificado experimentalmente e serviu para avaliar o fluxo de n??utrons emergentes do moderador (parafina). Da mesma forma, atrav??s de simula????o, foi avaliado tamb??m o fluxo de n??utrons r??pidos que atinge o conversor de polietileno que cobre a face sens??vel dos semicondutores. O n??vel de radia????o gama foi avaliado cobrindo o detector por inteiro com uma folha de c??dmio de 1 mm de espessura. O reator IPEN/MB-01 foi usado para avaliar a resposta dos detectores para n??utrons r??pidos de alto fluxo. Os resultados, de uma forma geral, mostraram concord??ncia e similaridade com os trabalhos desenvolvidos por outros grupos de pesquisas. Foi tamb??m estabelecida uma abordagem para o c??lculo de dose equivalente utilizando os espectros obtidos nas experi??ncias.Tese (Doutoramento)IPEN/TInstituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP