On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET's

Artigo de peri??dico

Registro en:

0018-9197

http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/7106

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https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8977355

Autor

MANZOLI, J.E.

ROMERO, M.A.

HIPOLITO, O.

Institución

Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (Brasil)

Materias

field effect transistors

semiconductor devices

heterojunctions

electric potential

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