Artículo de revista
Analytical Study on the Influence of Parasitic Elements in a Memristor
Estudio Analítico sobre la Influencia de Elementos Parásitos en un Memristor
Registro en:
1024-123X
1563-5147
10.1155/2018/2640591
FZ7FV
WOS:000427766400001
Autor
Chandia, Kristopher J.
Bologna, Mauro
Tellini, Bernardo
Institución
Resumen
We study a memristive circuit with included parasitic elements, such as capacitance and inductance. In the multiple-scale scheme, we analytically show how the parasitic elements affect the voltage and the current. Finally, we provide an analytical expression for the intersection point coordinates, through which we discuss the functional behavior of the pinched hysteresis loop versus the operating frequency and the parasitic elements. Estudiamos un circuito memristivo con elementos parásitos incluidos, como la capacitancia y la inductancia. En el esquema de múltiples escalas, mostramos analíticamente cómo los elementos parásitos afectan el voltaje y la corriente. Finalmente, proporcionamos una expresión analítica para las coordenadas del punto de intersección, a través de la cual discutimos el comportamiento funcional del bucle de histéresis pinzado frente a la frecuencia de operación y los elementos parásitos.