Neste trabalho foram estudadas diferentes condições de processamento do carbeto de silício ligado por reação (Reaction Bonded Silicon Carbide –RBSiC). Em cada condição de processamento utilizada,um parâmetro do processo foi alterado para verificar sua influência no processo e nas características do material final. Foram analisados os seguintes parâmetros: temperatura e tempo de infiltração, tipo de coque utilizado na composição do corpo-verde, e densidade à verde. O tipo de coque utilizado se mostrou de extrema importância ao processo, para se obter um material completamente infiltrado foi observado que o coque utilizado deve ser calcinado e estar livre de voláteis. A maior densidade para o material infiltrado(2,78g/cm³) foi obtida na condição de processamento onde foi utilizado coque re-calcinado e o ciclo térmico possuía dois patamares para a infiltração do silício, um a 1450°C e outro a 1600°C, ambos com duração de 1 hora.