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Análisis de la eficiencia de un Puente-H basado en tecnología SiC-MOSFET para aplicaciones de alta frecuencia y media potencia
Autor
Pacher Vega, Julio Cesar
Renault, Alfredo
Comparatore Franco, Leonardo David
Resumen
El presente trabajo muestra el diseño de un esquema para un controlador de puente-H completo basado en la tecnología SiC-
MOSFET utilizado para aplicaciones de alta frecuencia y media tensión. A modo de cuantificar la eficiencia del diseño se realizaron mediciones de las pérdidas por conmutación y las pérdidas por conducción que presentan los semiconductores basados en los resultados experimentales obtenidas en laboratorio con la plataforma experimental montada para tal efecto. CONACYT – Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología PROCIENCIA