En este trabajo se realizó una investigación encaminada a la optimización del proceso de fabricación de celdas solares de heterounión con película delgada (HIT) que se desarrolla en el Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE). Una celda HIT está compuesta por una oblea de silicio monocristalino (c-Si), la cual está rodeada por capas delgadas de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) intrínseco y dopado. Dentro de los principales aspectos que permiten alcanzar una alta eficiencia en una celda solar de heterounión, algunos de los más importantes son las figuras de mérito Voc, Isc, FF y Eff. El voltaje de circuito abierto Voc, se ve influenciado por la recombinación de los portadores en la interfaz a-Si:H/c-Si, y la corriente de corto circuito Isc, es principalmente afectada por la metalización, la capa a-Si:H tipo p y el confinamiento óptico logrado por el texturizado de la superficie de c-Si. Las celdas fueron fabricadas sobre obleas de silicio cristalino CZ y FZ tipo n sobre las cuales se depositaron películas de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) intrínseco y dopado utilizando el equipo de depósito químico en fase de vapor asistido por plasma (PECVD) del Laboratorio de Microelectrónica del INAOE. Los pasos más importantes que se optimizaron fueron los procesos relacionados a las condiciones ideales de depósito de los sistemas PECVD y pulverización catódica, el nivel de dopado de la película a-Si:H tipo n y el espesor de la película emisora a-Si:H tipo p. La optimización del proceso de fabricación permitió aumentar el factor de llenado, la corriente de corto circuito y el voltaje de circuito abierto de las celdas de 1 cm2 y 2’’ fabricadas anteriormente en el INAOE. Las celdas de 1 cm2 alcanzaban valores máximos de FF de 55% y este logró aumentarse a 65.43%; además, el valor de la corriente de corto circuito se aumentó de 40.4 mA a 46.4 mA. Las celdas de 2’’ presentaban eficiencias máximas de 3.2% y esta logró aumentarse a 5.8%, con un factor de llenado de 28%.