This work provides an accurate methodology for extracting the floating-gate gain factory, of cmos floating-gate inverters with a clock-driven switch for accessing temporarilly to the floating-gate. with the methodology proposed in this paper, the γ factor and other parasitic capacitances coupled to the floating-gate can be easily extracted in a mismatch-free approach. this parameter plays an important role in modern analog and mixed-signal cmos circuits, since it limits the circuit performance. theoretical and measured values using two test cells, fabricated in a standard double poly double metal cmos ami-abn process with 1.2 μm design rules, were compared. the extracted parameters can be incorporated into floating-gate ps pice macromodels for obtaining accurate electrical simulation.En este trabajo se brinda una metodología precisa para la extracción del factor de ganancia γ de la compuerta flotante en inversores CMOS, que constan de un interruptor para acceder temporalmente a la compuerta flotante. Con la metodología propuesta, el factor γ y otras capacitancias parásitas acopladas a la compuerta flotante pueden ser extraídas. Estos parámetros son de mucha importancia, ya que juegan un papel importante en el desempeño de circuitos analógicos y de señal mixta. La comparación entre cálculos teóricos y simulaciones es hecha utilizando dos celdas de prueba fabricadas de tecnología AMI ABN de 1.2 µm, a través de la organización MOSIS. Los parámetros extraídos pueden ser incorporados a macromodelos en PSpice para obtener simulaciones más precisas.