El desarrollo de dispositivos emisores de Luz compatibles con un proceso de fabricación CMOS estándar es de interés en el campo de la electrofónica para el desarrollo de un gran abanico de aplicaciones a bajo costo. La búsqueda de materiales que posean propiedades electroluminiscentes y que sean compatibles con un proceso de fabricación CMOS estándar ha sido de gran interés. Un material que posee estas características es el Silicio poroso. Sin embargo, sus propiedades mecánicas no son muy buenas. Otro material que ha sido estudiado y que presenta mejores propiedades mecánicas es el óxido de silicio rico en silicio (SRO), usando este material se han fabricado capacitores emisores de Luz (LECs). En esta tesis se presenta el diseño y layout de la etapa de potencia y modulación para un circuito integrado electrofónico que utiliza LECs como emisores de luz. Este CI hace uso del proceso de fabricación del Centro Nacional de Microelectrónica (CNM) del Instituto de Microelectrónica de Barcelona (IMB). Se estudiaron los límites de voltaje de la tecnología para diseñar dispositivos con rompimiento eléctrico más allá de los voltajes estándar usados en esta tecnología. Una vez que se logro determinar los voltajes de rompimiento, se diseñó una bomba de carga Dickson y un Modulador PWM, además se diseñó el layout de estos y se hicieron las respectivas simulaciones post-layout.