We report the study of a fabrication process and characterization of un-cooled micro-bolometers based on silicon germanium thin films deposited by low frequency PE CVD technique at low temperature and fully compatible with the IC fabrication technology. Surface micromachining techniques were used for the micro-bolometer fabrication onto a silicon wafer. The a-SixGe1-x:H thermo-sensing film used in those devices have shown high activation energy providing high thermal coefficient of resistance and improved but still high resistance. We studied the effect on the electrical properties of the device when boron is incorporated in the a-SixGe1-x:H film. The temperature dependence of conductivity ¾(T), current-voltage characteristics I(U) and noise spectral density have been measured in order to characterize and compare the performance of micro-bolometers with both types of films: a-SixGe1-x:H and a-GexBySiz:H.En este trabajo se reporta el estudio del proceso de fabricación y caracterización de micro-bolómetros no enfriados basados en películas delgadas de silicio germanio depositadas por medio de la técnica PE CVD a baja frecuencia, baja temperatura y completamente compatibles con la fabricación de CI’s. Se usaron técnicas de micro-maquinado superficial para la fabricación de los micro-bolómetros sobre obleas de silicio. La película termo-sensora de a-SixGe1-x:H usada en estos dispositivos ha mostrado alta energía de activación, dando un alto coeficiente térmico de resistencia y una mejorada pero alta resistencia. Se estudió el efecto en las propiedades del dispositivo cuando boro es incorporado en la película a-SixGe1-x:H. Se midió la dependencia de la conductividad con la temperatura, las características corriente voltaje I(U) y la densidad espectral de ruido, con el objetivo de caracterizar y comparar el rendimiento de los micro-bolómetros con los dos tipos de películas: a-SixGe1-x:H y a-GexBySiz:H.