Caracterización de Spin-on-Glass como dieléctrico de compuerta en dispositivos MOS y como material vehículo para el depósito de HfO2

dc.contributorALFONSO TORRES JACOME
dc.contributorJOEL MOLINA REYES
dc.creatorANA LUZ MUÑOZ ROSAS
dc.date2010-02
dc.date.accessioned2023-07-25T16:21:49Z
dc.date.available2023-07-25T16:21:49Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/544
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805762
dc.descriptionEn los últimos 15 años la reducción del espesor del dióxido de silicio (SiO2) como dieléctrico de compuerta en transistores de efecto de campo, ha permitido un escalamiento y mejoramiento en la funcionalidad de los dispositivos [1]. Sin embargo, el límite de escalamiento del espesor del SiO2 es alrededor de 7Å, correspondiente a alrededor de solo dos capas atómicas debajo del cual la banda prohibida del aislante no se forma. Espesores tan delgados permiten que los portadores de carga puedan fluir a través del dieléctrico de compuerta por tuneleo directo, provocando gran corriente de fuga en la compuerta. Una alternativa a tal problemática es el empleo de dieléctricos de alta constante dieléctrica (alta-k) que permitan mantener la misma capacitancia utilizando espesores mayores que el SiO2. Por tanto, se espera que espesores mayores puedan disminuir la corriente de fuga de compuerta. En este trabajo, se realiza la caracterización de spin-on-glass para el depósito de películas delgadas como dieléctrico de compuerta en dispositivos metal-óxido-semiconductor (MOS), utilizando el método de depósito sol-gel. Con el objetivo de disminuir el espesor de las películas sin perder sus propiedades dieléctricas se diluye el material de spin-on-glass en diferentes solventes. Las películas se analizan física, química y eléctricamente a través de elipsometría, espectroscopía en el infrarrojo y curvas C-V e I-V respectivamente. Una vez conocidas las propiedades de las películas de spin-on-glass, se explora la viabilidad de emplear este material para el depósito de películas de HfO2 en una solución coloidal, utilizando la técnica sol-gel de depósito. Para realizar lo anterior se experimenta la solubilidad de HfO2 en diferentes solventes. Por último, los resultados se analizan química y eléctricamente.
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherInstituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica
dc.relationcitation:Muñoz-Rosas A.L.
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Películas delgadas dieléctricas/Dielectric thin films
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/High-k dielectric thin films/High-k dielectric thin films
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Spin-coorting/Spin-coorting
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
dc.titleCaracterización de Spin-on-Glass como dieléctrico de compuerta en dispositivos MOS y como material vehículo para el depósito de HfO2
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.audiencestudents
dc.audienceresearchers
dc.audiencegeneralPublic


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