Los sensores inteligentes son de gran interés en varios campos de la industria, sistemas de control, aplicaciones biomédicas etc. El acelerado avance en tecnologías de circuitos integrados ha traído nuevos cambios en el diseño de sensores integrados y sistemas micro-electro-mecánicos (MEMS). La tecnología de los microsistemas modernos ofrece nuevos caminos de combinar sensado, procesamiento de señal y actuadores en escalas microscópicas. La potencial aplicabilidad de los detectores de radiación UV, en campos que van desde el almacenamiento óptico de información hasta la detección de incendios, ha impulsado el desarrollo de los dispositivos basados en silicio debido a la posibilidad de obtener estos fotodetectores a bajo costo. El objetivo de este trabajo es el diseño de los circuitos electrónicos necesarios para procesar la señal del sensor y su realización en circuito integrado utilizando una tecnología CMOS de 2.5μm de CNM, España. El sensor de silicio ya ha sido fabricado y caracterizado, con lo cual se tiene un modelo sencillo para el diseño de los circuitos, que permitan el acondicionamiento de la señal de salida del sensor. El producto final deberá ser la fabricación del sensor y la electrónica integrada en el mismo chip.