dc.contributor | MARIANO ACEVES MIJARES | |
dc.contributor | ALFREDO MORALES SANCHEZ | |
dc.creator | ORLANDO CORTAZAR MARTINEZ | |
dc.date | 2010-03 | |
dc.date.accessioned | 2023-07-25T16:21:39Z | |
dc.date.available | 2023-07-25T16:21:39Z | |
dc.identifier | http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/499 | |
dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7805717 | |
dc.description | Se estudio la estructura, composición y propiedades ópticas del Silicio Poroso y de
Soluciones Coloidales. Se fabricaron Estructuras que contienen nanocristales de silicio como
medio activo. Se usaron las técnicas de AFM, TEM y FTIR para obtener una caracterización
estructural y morfológica básica de las películas fabricadas así como la técnica de
fotoluminiscencia para la caracterización óptica. De los resultados de AFM se obtuvo que la
presencia de granos en la superficie de las películas está relacionad con la presencia de
nanocristales de silicio y aglomerados de estas. Para confirmar este hecho, las mediciones
mediante TEM, mostraron un tamaño promedio de los nanocristales correspondiente con las
dimensiones del modelo propuesto. De los resultados de FTIR se observó que las películas
formadas mediante soluciones gel basadas en silicatos (“Spin-on Glass”) producen películas
de óxido de silicio con buenas características estructurales.
Se obtuvieron propiedades fotoluminiscentes diferentes en las soluciones coloidales
dependiendo del método aplicado para separar los nanocristales del silicio poroso. Los
espectros de emisión fotoluminiscente observados en las muestras de silicio poroso,
soluciones coloidales y las Estructuras con nanocristales con tratamiento térmico a 150°C
muestran que la emisión fotoluminiscente es dependiente del tamaño de los nanocristales de
silicio. A partir de la ecuación del modelo cuántico mostrado en el capítulo 2 se obtuvieron
resultados teóricos de la relación entre el tamaño de nanocristales y la emisión
fotoluminiscente. La emisión obtenida tiene una intensidad fotoluminiscente bien definida
que puede ser observada a simple vista. El espectro de emisión para las películas con
tratamiento térmico a 1100°C muestra una nueva componente es longitudes de onda
intermedias en el espectro óptico (~520nm). Esta componente se atribuyó a estados creados
por defectos en la interface entre la superficie de las nanocristales de silicio y la matriz de
SiO2.
En las películas con nanocristales depositados por la evaporación de las soluciones
coloidales la rugosidad promedio está relacionada con la cantidad de nanocristales en la
superficie del substrato. Se encontró que la cantidad de nanocristales afecta directamente a la
intensidad de emisión fotoluminiscente en las películas; mientras mayor sea la densidad de
estas, mayor será la rugosidad promedio y mayor será la intensidad de emisión
fotoluminiscente. | |
dc.format | application/pdf | |
dc.language | spa | |
dc.publisher | Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica | |
dc.relation | citation:Cortazar-Martinez O. | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/Silicio/Silicon | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/Nanopartículas/Nanoparticles | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/Oxidación/Oxidation | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/1 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/22 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
dc.subject | info:eu-repo/classification/cti/2203 | |
dc.title | Síntesis y caracterización de óxido rico en silicio a bajas temperaturas | |
dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | |
dc.type | info:eu-repo/semantics/acceptedVersion | |
dc.audience | students | |
dc.audience | researchers | |
dc.audience | generalPublic | |