Se presenta el desarrollo de una metodología de modelado memristivo para dispositivos basados en películas delgadas de dióxido de titanio (TiO2) depositadas sobre óxido de estaño e indio (ITO) y utilizando contactos de plata (Ag). Para probar su efectividad, esta metodología ha sido aplicada para obtener expresiones analíticas para las variables eléctricas —resistencia y corriente— en dispositivos cuyo espesor de película de TiO2 es de 100 nm y 50 nm. El resultado es una función definida a trozos, cuyas expresiones están basadas en un polinomio de grado variable, elegido en función de la reducción del error cuadrático medio normalizado. La comparación entre los datos experimentales y las funciones analíticas propuestas muestran una similitud de, al menos, 88% para la resistencia en función del tiempo y mayor a 95% para la corriente en el tiempo.