En este trabajo se estudió el proceso de depósito por Sputtering de películas delgadas de ITO como óxido transparente conductivo, se realizaron ajustes en los parámetros de fabricación y se estudió la influencia que tienen en las características optoelectrónicas de las películas. Lo anterior se realizó con la finalidad de obtener una metodología en el INAOE para el desarrollo de tecnología en óxidos conductores transparentes (ITO) con baja resistencia eléctrica y alta transmitancia óptica para ser aplicados es celdas solares. De manera específica se estudió la influencia de los parámetros de fabricación como el tipo de descarga (RF o DC), la variación de la presión, la concentración de oxígeno, la temperatura de sustrato y el tipo de sustrato en las características de películas delgadas de ITO. Se estudió la diferencia entre las características de películas delgadas depositadas en ambiente en oxígeno y/o depositadas con tratamiento post-depósito en ambiente de oxígeno. Finalmente, las mejores muestras se implementaron como contactos transparentes en celdas solares hibridas p-i-n. El ajuste de parámetros como presión, temperatura y concentración de oxigeno permitió reducir la resistencia de hoja del orden de Rs ~ MΩ/□ a Rs = 27 Ω/□ y aumentar la transmitancia de Tr= 60 % a Tr= 95 %. Las mejores características optoelectrónicas en películas ITO obtenidas en este trabajo son comparables con parámetros reportados en películas de ITO comerciales. Este trabajo sirve como base para continuar con el estudio de depósito por sputtering de nuevos materiales y/o profundizar en la caracterización avanzada de películas de ITO como pueden ser estudio de función de trabajo o influencia de morfología en las propiedades electrónicas.