Los sistemas de detección infrarroja son una tecnología clave en diversas aplicaciones civiles y militares, especialmente en rastreo de objetivos, visión nocturna, mantenimiento preventivo, etc. A diferencia de los detectores infrarrojos de fotones que requieren costosos dispositivos de enfriamiento, los sistemas basados en microbolómetros pueden operar a temperatura ambiente. Esta característica les brinda ventajas como un menor consumo de potencia, peso reducido y volumen que finalmente resulta en un equipo de bajo costo. En este trabajo se han fabricado y caracterizado micro-bolómetros con área de 50x50 μm2. Se utilizaron películas termo-sensoras basadas en germanio polimorfo, silicio polimorfo y sus aleaciones en estado polimorfo. El proceso de fabricación fue realizado en el laboratorio de microelectrónica y el laboratorio de innovación en MEMS (LIMEMS) del INAOE. Se implementaron 16 diseños distintos de micro-bolómetros tipo puente con el fin de evaluar el desempeño de los sensores bajo las variaciones geométricas y la estabilidad mecánica al final del proceso de fabricación. Las películas termo-sensoras y estructurales fueron preparadas por medio de la técnica Low Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (LF-PECVD) a 200 °C, lo cual permite obtener una total compatibilidad con un post-proceso CMOS. Se emplearon 8 películas termosensoras con un elevado Coeficiente Térmico de Resistencia (TCR), que resultaron en sensores con una detectividad en el rango de 107-109 cm·Hz1/2/W y resistencias eléctricas del orden de 1 MΩ.