Recientemente en el laboratorio de microelectrónica del INAOE, se han desarrollado sensores de radiación infrarroja (microbolómetros no enfriados), basados en materiales amorfos y nanoestructurados de silicio y germanio. Dichos dispositivos han arrojado resultados prometedores debido a sus altos valores de responsividad y detectividad, lo que los hace muy competitivos con sensores disponibles comercialmente basados en óxido de vanadio y silicio amorfo dopado. Uno de los objetivos actuales dentro de dicho laboratorio, es el desarrollo de arreglos de sensores infrarrojos con dimensiones de hasta 320 x 240 pixeles. Sin embargo, un punto muy importante que hasta ahora no se ha contemplado, es el diseño de un circuito de lectura que adecúe la señal de salida de dichos sensores y que cumpla con requerimientos específicos, en términos de su resistencia, responsividad y nivel de ruido. Así pues en base a lo anterior, la presente tesis tiene como objetivo el diseño de circuitos integrados de lectura (readouts integrated circuits-ROICs) que estén específicamente diseñados para cumplir con las necesidades y características de los microbolómetros fabricados en INAOE, los cuales tienen un coeficiente de temperatura de resistencia (TCR) alto entre 5% y 68% y una resistencia eléctrica entre 2MΏ y 2MΏ, a temperatura ambiente.