A partir de la publicación revolucionaria del Profesor Chua en los años 70’s, el concepto del memristor ha sido introducido. Sin embargo, tuvo que transcurrir un periodo aproximadamente de 40 años para que la concepción física del memristor se llevara a cabo por los laboratorios HP en el 2008. Hoy en día, este dispositivo emergente ha sido empleado en nuevas aplicaciones; las cuales abarcan desde el desarrollo de memorias modernas hasta circuitos analógicos en combinación con elementos convencionales para obtener funcionalidades novedosas. Lo anterior ha provocado la necesidad de modelos apropiados del memristor para llevar a cabo simulaciones de circuitos con el proposito de ayudar en el flujo de diseño de circuitos y sistemas memristivos. La presente tesis introduce una novedosa metodología de modelado para generar expresiones semi-simbólicas del memristor en forma de modelos orientados a la simulación de circuitos en los dominios de DC y tiempo. Estos modelos son expresados mediante relaciones de rama voltaje-corriente; es decir, modelos funcionales del memristor. Además, una atención especial es dedicada durante el proceso de generación para verificar que las principales señas de identidad del memristor sean cumplidas; lo cual significa que los modelos propuestos poseen las propiedades para ser considerados verdaderos memristores. Los modelos han sido caracterizados detalladamente con respecto a varios parámetros del dispositivo asumiendo los valores del laboratorio de HP. En el último paso de la metodología, los modelos son establecidos mediante bloques funcionales; los cuales se pueden utilizar por las herramientas industriales de simulación de circuitos integrados, tales como SPICE. Los modelos del memristor han sido probados mediante una serie de circuitos con resultados satisfactorios.