Se presenta la investigación de signo del foto-portador y la dinámica de excitación en cristales de Yb: YAG mediante una técnica de fuerza foto-electromotriz de estado no estacionario. En cristales de recocido con 25% y 50% de concentración de dopaje de Yb, se observa la conductividad de huecos; mientras que en muestras con 80% de Yb una conductividad electrónica es evidenciada. En las muestras no tratadas especialmente, se encuentran ambas contribuciones de huecos y de electrones. En todos los casos, se observa un tiempo de relajación característico de aproximadamente 1ms, que corresponde al tiempo de vida de Yb3+