La continua reducción de los dispositivos MOSFET ha permitido que los circuitos integrados VLSI alcancen una mayor densidad de integración y velocidad de operación, lo cual ha llevado a un incremento en la demanda de circuitos electrónicos. Sin embargo, en el régimen de dimensiones nanométricas el impacto de algunos mecanismos que degradan el rendimiento del dispositivo es más significativo, disminuyendo su tiempo de vida útil. Los principales mecanismos de envejecimiento que afectan el rendimiento son NBTI, HCI y TDDBD, siendo NBTI identificado como el factor predominante de envejecimiento en transistores PMOS. El efecto que tiene NBTI es el de aumentar la magnitud del voltaje umbral del transistor a través del tiempo. El incremento del voltaje umbral ocasiona que el retardo de propagación de los caminos lógicos de señal en un circuito digital se incremente. Si este retardo sobrepasa las restricciones de temporización del sistema se presentará una falla que en algunas aplicaciones como en el área automotríz, aeroespacial o médica son inaceptables. Para tolerar el incremento del retardo de propagación debido al envejecimiento de los dispositivos, convencionalmente se introduce un tiempo adicional en el período de reloj que funciona como margen de seguridad (también llamado banda de guarda). Dependiendo de las condiciones de operación del dispositivo como temperatura y voltaje de alimentación el efecto del NBTI se hace mayor o menor, siendo la temperatura el factor mas importante en el incremento del efecto del NBTI.