En esta tesis, se reporta la optimización en la formación de estructuras tipo piramidales en la superficie de sustratos de silicio cristalino (c-Si), obtenidas por procesos de texturizado de plasma de SF6/O2. Las obleas de c-Si texturizadas tienen valores de reflectancia difusa muy bajas, de hasta 2.9%. Estos valores son mucho más bajos que los reportados utilizando procesos de texturizado húmedos basados en soluciones de KOH y NaOH, los que se encuentran en un rango de 12-14%. También se hace énfasis en la dependencia que la uniformidad y forma del texturizado tienen con la temperatura del substrato y cómo éste parámetro contribuye a obtener superficies altamente texturizadas. Siendo esta aportación la más importante de este trabajo, ya que no se había reportado en la literatura.