En este trabajo de tesis se realizaron uniones túnel magnéticas (MTJ) de Mn3Ga/MgO/Mn3Ga creciendo Mn3Ga tetragonal D022 a diferentes estequiometrias. Se empleó la técnica de pulverización catódica sobre MgO(001) con una capa buffer de Cr para lograr crecimiento monocristalino. Adicionalmente, se utilizó una película ultradelgada de Mg en la interfaz Mn3Ga/MgO con el propósito de evitar la oxidación de Mn3Ga y así poder maximizar el valor de la magnetorresistencia túnel. Las películas de Cr/Mn3Ga fueron caracterizadas mediante difracción por reflexión de electrones de alta energía, microscopía de fuerza atómica, difracción de Rayos X y magnetometría empleando el dispositivo superconductor de interferencia cuántica.