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SÍNTESIS DE PELÍCULAS DELGADAS DE MnGe2 MEDIANTE LA TÉCNICA DE EROSIÓN CATÓDICA SOBRE SUSTRATOS DE Ge(001) y InAs(001)
Autor
DAVID GUTIERREZ NARANJO
Resumen
En el presente trabajo, se estudió el crecimiento cristalino de películas delgadas de
MnGe2, el cual es un material semiconductor magnético diluido (SMD) que presenta
interesantes propiedades magnéticas y posible aplicación en dispositivos espintrónicos.
Las películas delgadas de MnGe2 se depositaron sobre sustratos de Ge(001) y InAs(001)
mediante la técnica de pulverización catódica o sputtering.
La microscopía electrónica de barrido (SEM) permitió la medición de espesores para la
obtención de las curvas de calibración empleadas en el cálculo de las potencias en el
crecimiento de las películas delgadas de MnGe2 mediante co-depósito en RF-sputtering.
Hemos comprobado la influencia de la temperatura de crecimiento en la solubilidad del
Mn en Ge y la homogeneidad de las películas delgadas de MnGe2 siendo la temperatura
ideal para el crecimiento alrededor de 80°C.
La caracterización de estructural se efectuó por medio de microscopía electrónica de
transmisión (TEM) que junto con un análisis utilizando el software de cristalografía Carine,
se obtuvieron los parámetros de red, las direcciones de crecimiento y las relaciones
epitaxiales. Mediante difracción de rayos X (XRD) se confirma el crecimiento de
únicamente la estructura tetragonal del MnGe2 descartando con ello la formación de
nanocolumnas de MnGe2 con estructura cúbica en forma de diamante.
Se observó a partir de las mediciones magnéticas que la temperatura de Curie del MnGe2
se encuentra debajo de la temperatura ambiente y se estimó el momento magnético por
átomo de Mn en 1.0 µB.