"En esta tesis se analiza mediante una simulación de Monte-Carlo, la dinámica de portadores de carga en antenas fotoconductivas (PCA) que emiten radiación de THz. Se simularon PCA de LT-GaAs (tiempo de vida de portadores de carga de aproximadamente 250 fs) y SI-GaAs (tiempo de vida de portadores de carga de aproximadamente 10 ns), obteniendo un tamaño de gap para la PCA con el cual el tiempo de tránsito de los portadores de carga a través de éste, es el parámetro determinante en la duración del pulso de THz emitido. También se simuló la emisión de superficie de THz en campo cercano en InGaAs. Para este estudio se combinó la simulación de Monte-Carlo con el método FDTD. Los resultados obtenidos de estas simulaciones se demuestra que la emisión de THz es debida tanto a la fotocorriente generada en el plano como perpendicular a la superficie del semiconductor."