En este trabajo se presentan la metodología y los procedimientos asistidos por computadora que permiten diseñar satisfactoriamente un amplificador de bajo ruido en tecnología de circuitos integrados monolíticos de microondas MMIC (Monolithics Microwaves Integrated Circuits), con las características adecuadas para recibir señales de satélite en la banda de frecuencias de 11.7 a 12.2 GHz (banda Ku). En el diseño se emplea la técnica de síntesis de redes pasivas con elementos concentrados para obtener las redes de acoplamiento. con los resultados de la simulación del circuito esquemático final, se verifica la eficacia de la metodología propuesta en el diseño del amplificador lográndose un buen circuito inicial para la conversación a elementos físicos por medio de los modelos correspondientes al proceso de una fundidora de circuitos monolíticos. El amplificador diseñado consta de tres etapas de amplificación con las cuales se logra una ganancia de 29 dB, una figura de ruido de 2 dB, una relación de onda estacionaria de voltaje (ROEV) a la entrada de 2.1 y a la salida de 1.38, en la banda de interés. Los modelos para los elementos circuitales del amplificador se toman del conjunto de elementos disponibles en el proceso de fundidora D02AH de Philips (Francia) que incluye como dispositivo activo a un transistor PHEMT con longitud de compuerta de 0.2 µm. El diseño concluye satisfactoriamente con la definición de una distribución física optimizada, obteniéndose finalmente un amplificador con dimensiones físicas de 1.6 x 1.1 mm2. La información de la distribución física final se almacena en un archivo con formato GDS-II que es el adecuado para su verificación en la fundidora y posible fabricación.The methodology and computer alded procedures that leads to the successful design of a low noise amplifier in MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) technology are presented. The amplifier is intended to be used in the receiver section of a satellite communicarion system operating in the 11.7 - 12.2 GHz frequency range (Ku band). Passive network synthesis technique is used to obtain the matching networks, With the simulation results of the final schematic circuit the effectiveness of the proposed design methodology is demonstrated getting a goof starting circuit with lumped elements that are later transformed to "physical elements" by means of the appropriate equivalent circuit models from the correspnding MMIC foundry process to generate the amplifier layout. The designed amplifier consists of three amplifications stages that give 29 dB gain, 2 dB noise figure and input and output VSWR of 2.1 and 1.38 respectively within band of interest. Circuit elements are taken from the set of available elements in foundry process D02AH as offered by Philips (France), which includes a 0.2 mm gate length P-HEMT device. This design concludes successfully with the definition of an optimized circuit layout that gives place to an amplifier with physical dimensions of 1.6 x 1.1 mm2. This layout information is saved in appropriate format (GDS-II) to be send to the foundry for design rules check (DRC) and possible fabrication.