La presente tesis está relacionada con el control óptico de osciladores de microondas. El oscilador fue diseñado utilizando como dispositivo activo un transistor pseudomórfico comercial. La frecuencia del oscilador es sincronizada a la frecuencia de modulación de un láser de λ = 850nm que iluminó directamente al transistor. En este trabajo se mencionan y describen los efectos causantes de la fotorrespuesta positiva y negativa en el transistor (el efecto fotoconductivo y el efecto fotovoltaico). Se reportan los resultados de la caracterización electro-óptica del transistor, en donde, el efecto de la iluminación se manifiesta con una variación en los elementos intrínsecos del circuito eléctrico equivalente que a su vez, influyen en el desplazamiento de la frecuencia de oscilación en el oscilador iluminado. Se reportan los cambios de frecuencia y potencia del oscilador iluminado obtenidos de forma experimental y mediante simulación, y se comparan entre ellos. Se reporta además la banda de sincronía obtenida experimentalmente (40 kHz y 25 kHz) de dos osciladores de microondas con diferente factor de calidad. En base a estos resultados se comprueba, con la ecuación de Adler, que la banda de sincronía es función inversa del factor de calidad del circuito y que además varía en relación cuadrática con la potencia inyectada. Por último se muestra gráficamente la variación de la banda de sincronía en función de la polarización del transistor.This dissertation is related with the optical control of microwaves oscillators. The oscillator was designed using a commercial pseudomorfic transistor. The frequency of the oscillator is synchronized at the modulation frequency of an 850 nm laser that illuminates directly the transistor. In this work, the effects that give rise the positive and negative photorresponse in the transistor (the photoconductive effect and the photovoltaic effect) are mentioned and discussed. The results of the electro-optical transistor characterization shows that the illumination produce variations of the intrinsic elements (CGS and CGD). Moreover these effects produce a shift in the oscillation frequency. The oscillation frequency and power of the oscillator in dark and under illumination is obtained by simulation and measured, are reported and compared among them. In addition, the experimental injection locking band (40 kHz y 25 kHz) measured in the two different Q factor microwaves oscillators is reported. With these results it was demonstrated that the locking band is an inverse function of the Q factor of the oscillator, as predicted by the Adler equation. Finally the changes of the locking band are graphically presented as function of the bias points of the transistor.